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    費斯托FESTO接近開關怎么調試才會正常運行

    發布時間:2020/7/6      瀏覽次數:794
      費斯托FESTO接近開關怎么調試才會正常運行
     
      費斯托FESTO接近開關由四大部分5261組成:線圈、振蕩器、觸發4102電路1653及放大輸出電路。振蕩器產生一個高頻電磁場,由線圈引出,然后再在傳感器的感應端發出。當金屬目標接近這一電磁場時,金屬物體內將產生渦流,渦流的產生將吸收電磁場和震蕩器的能量。當金屬物體不斷靠近傳感器端面,能量的被吸收而導致衰減,當衰減達到一定程度時,觸發電路將觸發開關輸出信號,從而達到非接觸式之檢測目的。
     
      費斯托FESTO接近開關的感應面由兩個同軸金屬電構成,很象“打開的”電容器電,該兩個電構成一個電容,串接在RC振蕩回路內。電源接通時,RC振蕩器不振蕩,當一目標朝著傳感器感應面靠近時,電容容量增加,振蕩器開始振蕩。通過后電路的處理,將振和振蕩兩種信號轉換成開關信號,從而起到了檢測有無物體存在的目的。該傳感器能檢測金屬物體,也能檢測非金屬物體,對金屬物體可以獲得的動作距離,對非金屬物體動作距離決定于材料的介電常數,材料的介電常數越大,可獲得的動作距離越大。
     
      費斯托FESTO接近開關可以根5261據不同的原理和不同的方法做成,而不同的位移4102傳感器對物體的1653"感知"方法也不同,所以常見的接近開關有以下幾種:
     
      費斯托FESTO接近開關不需要電源,通過磁力感應控制開關的閉合狀態。當磁 或者鐵質觸發器靠近開關磁場時,和開關內部磁力作用控制閉合。特點:不需要電源,非接觸式,免維護,環保。
     
      渦流式接近開關
     
      這種開關有時也叫電感式接近開關。它是利用導電物體在接近這個能產生電磁場接近開關時,使物體內部產生渦流。這個渦流反作用到接近開關,使開關內部電路參數發生變化,由此識別出有無導電物體移近,進而控制開關的通或斷。這種接近開關所能檢測的物體必須是導電體。
     
      1.原理:由電感線圈和電容及晶體管組成振蕩器,并產生一個交變磁場,當有金屬物體接近這一磁場時就會在金屬物體內產生渦流,從而導致振蕩停止,這種變化被后放大處理后轉換成晶體管開關信號輸出。
     
      2.特點:A、抗干擾,開關頻率高,大于200HZ. B、只能感應金屬
     
      3.應用在各種機械設備上作位置檢測、計數信號拾取等。
     
      費斯托FESTO接近開關的測量通常是構成電容器的一個板,而另一個板是開關的外殼。這個外殼在測量過程中通常是接地或與設備的機殼相連接。當有物體移向接近開關時,不論它是否為導體,由于它的接近,總要使電容的介電常數發生變化,從而使電容量發生變化,使得和測量頭相連的電路狀態也隨之發生變化,由此便可控制開關的接通或斷開。這種接近開關檢測的對象,不限于導體,可以緣的液體或粉狀物等。
     
      費斯托FESTO接近開關開關是一種磁敏元件。利用霍爾元件做成的開關,叫做霍爾開關。當磁性物件移近霍爾開關時,開關檢測面上的霍爾元件因產生霍爾效應而使開關內部電路狀態發生變化,由此識別附近有磁性物體存在,進而控制開關的通或斷。這種接近開關的檢測對象必須是磁性物體。
     
      費斯托FESTO接近開關利用光電效應做成的開關叫光電開關。將發光器件與光電器件按一定方向裝在同一個檢測頭內。當有反光面(被檢測物體)接近時,光電器件接收到反射光后便在信號輸出,由此便可"感知"有物體接近。
     
      費斯托FESTO接近開關當觀察者或系統對波源的距離發生改變時,接近到的波的頻率會發生偏移,這種現象稱為多普勒效應。聲納和雷達就是利用這個效應的原理制成的。利用多普勒效應可制成超聲波接近開關、微波接近開關等。當有物體移近時,接近開關接收到的反射信號會產生多普勒頻移,由此可以識別出有無物體接近。
     
      接近開關屬于一種有開關量輸出的位置傳感器,它由LC高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個能產生電磁場的振蕩感應頭時,使物體內部產生渦流。這個渦流反作用于接近開關,使接近開關振蕩能力衰減,內部電路的參數發生變化,由此識別出有無金屬物體接近,進而控制開關的通或斷。這種接近開關所能檢測的物體必須是金屬物體。
     
      費斯托FESTO接近開關亦屬于一種具有開關量輸出的位置傳感器,它的測量頭通常是構成電容器的一個板,而另一個板是物體的本身,當物體移向接近開關時,物體和接近開關的介電常數發生變化,使得和測量頭相連的電路狀態也隨之發生變化,由此便可控制開關的接通和關斷。這種接近開關的檢測物體,并不限于金屬導體,也可以是緣的液體或粉狀物體,在檢測較低介電常數ε的物體時,可以順時針調節多圈電位器(位于開關后部)來增加感應靈敏度,一般調節電位器使電容式的接近開關在0.7-0.8Sn的位置動作。
     
      費斯托FESTO接近開關當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會產生電位差,這種現象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U,其表達式為
     
      U=K·I·B/d
     
      其中K為霍爾系數,I為薄片中通過的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應強度,d是薄片的厚度。
     
      由此可見,霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。
     
      霍爾開關屬于這種有源磁電轉換器件,它是在霍爾效應原理的基礎上,利用集成封裝和組裝工藝制作而成,它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號,同時又具備工業場合實際應用易操作和性的要求。
     
      霍爾開關的輸入端是以磁感應強度B來表征的,當B值達到一定的程度(如B1)時,霍爾開關內部的觸發器翻轉,霍爾開關的輸出電平狀態也隨之翻轉。輸出端一般采用晶體管輸出,和接近開關類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型(雙性)、雙信號輸出之分
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