SICK傳感器的原理資料應該怎樣理解

    SICK傳感器的原理資料應該怎樣理解
    SICK傳感器的詳細動作是，在主電路中流過電流時，在導線中產生的磁場集磁，在霍爾元件中感應，其信號輸出驅動動力管導通，從而得到補償電流is。該電流再次通過多圈繞組產生磁場，該磁場與被測定電生磁場相反，因此補償原來的磁場，逐漸減少霍爾元件的輸出。如果通過IP與匝數乘法運算產生的磁場相等，則is不會增加，此時的霍爾元件發揮指示零磁通的作用，此時能夠通過is進行平衡。 被測量電流發生變化的話，平衡會崩潰。當磁場平衡被破壞時，從霍爾元件輸出信號。 功率放大后，立即流過與2次繞組對應的電流，補償不平衡的磁場。
從磁場的不平衡到再平衡的時間理論上小于1μs，這是動態平衡的過程。
    1.2位移量測
    在位移測量中，在2片相對的同性放置線性型霍爾傳感器，這一點可視為位移零點，磁性強度為零。傳感器在z軸上位移△z時，傳感器具有電壓輸出，此時位移的大小與電壓的大小成正比。
    1.3霍爾壓力傳感器
    霍爾壓力傳感器由彈性元件、磁系統及霍爾元件等部分構成:膜盒、。 磁系統為能夠構成均勻傾斜磁場的復合系統，也可以使用單一的磁鐵。施加壓力時，在磁系統和霍爾元件間產生相對位移，使作用于霍爾元件磁場變化，使其輸出電壓VH變化。根據預校準的p~f ( VH )曲線可以得到被測量壓力p的值。
    2 .    2.1 SICK傳感器將磁鐵粘貼到非磁性材料的磁盤邊緣，并將感應器hall放置在磁盤邊緣附近，然后當磁盤旋轉一個圓時，霍爾感應器會發出脈沖與霍爾開關電路組合，形成各種旋轉傳感器。磁鐵會在每次通過霍爾電路時檢測出輸出脈沖(計數器)的轉數，并加入頻率計時檢測轉速。將鏈輪和磁鐵固定在旋轉軸上，并通過流體(氣體、流體)旋轉它們，形成流動傳感器和流動傳感器。在旋轉軸上安裝磁鐵，在磁鐵附近安裝霍爾開關回路，創建速度車數器、行程表等。
    SICK傳感器導體在承受外部拉力或壓力時會發生機械變形，機械變形會引起導體阻值的變化，當導體材料產生因變形而變化的導體阻值時，稱為電阻應變效應。 電阻應變片是一種敏感裝置，用于將所測件的應變變化轉換為電信號。 這是壓力傳感器的主要部件之一。 電阻應變片常用的應用是金屬電阻應變片和半導體應變片.。
    金屬應變片的基本原理是電阻應變效應，即當導體產生機械變形時，導體的強度值會發生變化.。
金屬電阻應變片有兩種類型:絲變換器和金屬箔變換器。
    SICK傳感器一般而言，反應板是在機械變形的基礎上通過特殊粘接和緊密粘接而粘上的. 當陣列強度發生變化時，電阻應變片也會一起產生變形，因此應變片的阻值會發生變化，從而增加到電阻的電壓也會發生變化。 這些應變片在受力時產生的電阻變化通常很小，通常形成變形的電橋，由后面儀表放大器放大，然后傳遞到處理電路顯示(通常是a / d轉換和處理器）或執行機構。   金屬電阻板由基體材料、金屬應變絲或應變箔、緣保護片和引出線等部分組成。
    根據不同的使用方式，電阻應變片的阻值可以設計不同阻值，但電阻取值范圍必須注意:電阻值太小，輸入電流小所需驅動電流太大，同時溫度變化面的熱量太高，用于不同的環境，變化面的阻力值過大，輸出零點漂移，零調節電路過于復雜。 而且阻力太大，阻抗太高，抵御外部電磁干擾的能力薄弱.。
    SICK傳感器一般電阻應變片的阻值約為幾十歐幾十千歐左右.。
    SICK傳感器金屬電阻應變片的工作原理是，吸附在基本材料上的應變電阻隨機械變形(通常稱為電阻應變效應)而變化的阻值。 金屬導體的電阻值可以表示為:R=ρ*L/SP-金屬導體電阻率（Ωcm2/m） s-導體截面(cm2) l-導線長度當外力作用時，導體的電阻率ρ、長度l和截面區域s會發生變更，從而導致電阻值R的變化. 通過檢測電阻值的變化，可以檢測外力的大小以金屬絲應變電阻為例. 當金屬絲承受外力時，其長度和截面會發生變化. 很容易看出它的電阻值變化. 如果金屬線材受外力拉伸，其長度會增加，且截面會減小，則阻值會增加。當線材被外力壓縮時，長度會減小，截面增大，阻值也會減小。
    只要測量增加到阻值的變化(通常是在電阻兩端測量的應力)，就可以得到變形金屬絲的變形情況。
    SICK傳感器由于應力與變形成比例，因此變形與電阻變化率成比例，即應力與電阻變化成比例。彈性原點可將物理量(例如位移、壓力和振動)轉換為可變的應力和測量。
    SICK傳感器的原理與應用耐腐蝕陶瓷壓力傳感器不由輸液體傳遞，壓力直接作用于陶瓷膜之前的表面，使陶瓷膜產生輕微變形，厚膜電阻印在陶瓷膜背面，并連接到電橋(封閉橋梁)，原因是受壓力的影響. 標準的信號根據壓力量程的不同標定為2.0/3.0/3.3 mV/V等，與應變式傳感器兼容。通過激光校準，傳感器具有較高的溫度和時間穩定性，其自身的溫度補償為0~70℃，能夠直接接觸大多數介質。