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美國AB模塊，可采用和測量場效應晶（MOSFET）的方法來測試該模塊。MOSFET的柵-陰間有一個結電容存在，故由此決定了高的輸入阻抗和電荷保持功能。對于IGBT來說，存在一個G、E之間的結電容和C、E之間的結電容，利用其G、E之間的結電容的充電、電荷保持和放電特性，可以優檢測出美國AB模塊的好壞。
方法：將指針式萬用表撥到R*10k檔，黑表筆接C，紅表筆接E，辭職所測量電阻值近乎無窮大；搭好表筆不懂，用手指將C與G碰一下再拿開，指示由無窮大阻值降為200kΩ；過十幾二十秒之后，再測一下C、E之間的電阻（黑表筆接C，紅表筆接E），仍能維持200kΩ的電阻不變；搭好表筆不動，用手指短接一下G、E，C、E之間的電阻又重新變味接近無窮大。
實際上美國AB模塊，用手指碰一下C、G，是經人體電阻給柵，陰結電容充電，拿開手指后，因此電容無放電回路，故電容上的電荷能保持一段時間。此電容上的充電電壓為正向激勵電壓，使IGBT出現微導通，G、E之間的電阻減小；次用手指短接G、E時，提供了電容的放電通路，隨著電荷的釋放，IGBT的激勵電壓小時，管子變為截止，C、E之間的電阻又趨于無窮大。
手指相當于一只阻值為數kΩ的電阻，提供柵陰電容充、放電的通路；因IGBT的導通需要比較高的正向激勵電壓（10V以上），所以使用指針式萬用表的R*10k檔（此檔位內部電池供電為9V或12V），以滿足IGBT激勵電壓的幅度。指針式萬用表的電阻檔，黑表筆接內部電池的正，紅表筆接內部電池的負，因而黑表筆為正，紅表筆為負。這種測量方法只能采用指針式萬用表。
對于美國AB模塊觸發端子的測量，還可以配合電容表測其容量，以增加判斷的準確度。往往功率容量大的模塊，兩端子間的電容值也稍大。
更新時間：2017-06-26 
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